在當(dāng)今及以后的半導(dǎo)體制造流程當(dāng)中，濺射靶材無(wú)疑是重中之重的原材料，其質(zhì)量和純度對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的后續(xù)生產(chǎn)質(zhì)量起著關(guān)鍵性作用。
靶材，特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）工藝，是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。
所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術(shù)，也是PVD的一種。它通過(guò)在PVD設(shè)備中用離子對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱(chēng)為濺射靶材。
相比PVD的另一種工藝——真空鍍膜，濺射鍍膜工藝可重復(fù)性好、膜厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，所制備的薄膜具有純度高、致密性好、與基板材料的結(jié)合力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，已成為制備薄膜材料的主要技術(shù)。
靶材有多種分類(lèi)方法，如按化學(xué)成份分類(lèi)，按形狀分類(lèi)，以及按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)。本文內(nèi)容主要是按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)展開(kāi)的。
靶材應(yīng)用要求
對(duì)靶材用量較大的行業(yè)主要有半導(dǎo)體集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、磁記錄介質(zhì)、光學(xué)器件等（這些就是按應(yīng)用分類(lèi)的）。其中，高純度濺射靶材主要用于對(duì)材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域，如半導(dǎo)體、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、磁記錄介質(zhì)等。
本文主要討論靶材在半導(dǎo)體當(dāng)中的應(yīng)用情況。
在所有應(yīng)用中，半導(dǎo)體對(duì)濺射靶材的技術(shù)要求和純度最 高，價(jià)格也最為昂貴，這方面的要求明顯高于平面顯示器、太陽(yáng)能電池等其他應(yīng)用領(lǐng)域。半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，若濺射靶材的雜質(zhì)含量過(guò)高，形成的薄膜就無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，將嚴(yán)重影響薄膜的性能。
芯片制造對(duì)濺射靶材金屬純度的要求最 高，通常要達(dá)到99.9995%以上，而平板顯示器、太陽(yáng)能電池分別要求達(dá)到 99.999%、99.995%以上即可。
除了純度之外，芯片對(duì)濺射靶材內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等也設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)，并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。
超高純度金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
